DDR3 09年才普及？Hynix内存技术讲座

　2007年4月17日，CNET（中国）·ZOL北京报道：今日，在北京国际会议中心召开英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum，IDF）。Hynix海力士半导体公司作为世界最大的DRAM生产商也给来宾做了一次精彩的讲演。

讲座开始

　　作为DRAM、SRAM、闪存及系统IC等半导体研发的领导者和制造商,Hynix的专场讲座引起了不少人的兴趣.

DRAM技术趋势

内存功耗在不断下降

DDR3的关键特性

　　DDR3相比起DDR2有更低的工作电压， 从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电；预取机制也从DDR2的4bit预取升级为8bit预取。在工作频率方面，DDR3内存最低将会从800MHz起跳，目前最高能够达到1600Mhz的速度。由于目前最为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度。

DDR3市场

　　据Intel最新桌面平台规划，Intel将会于2007年第二季起，推出支援DDR3内存模组、产品代号为Bearlake的芯片组产品，但是Hynix预计DDR3内存可能在2009年才有望成为市场主流。